| Attributes | Values |
|---|
| rdfs:label
| - Equivalent Oxide Thickness (fr)
- Equivalent oxide thickness (de)
|
| rdfs:comment
| - Lorsqu'on considère une couche de matériau diélectrique high-κ, son EOT ou equivalent oxide thickness (« épaisseur d'oxyde équivalente » en anglais), généralement exprimée en nanomètres (nm), est l'épaisseur d'une couche de offrant les mêmes propriétés électriques que celle-ci. De façon générale, l'EOT se formule comme suit: L'EOT, en permettant de convertir une donnée physique (en l'occurence, la permittivité) en donnée géométrique (une épaisseur) est pratique pour comparer rapidement divers matériaux high-k au standard. (fr)
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| sameAs
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| dct:subject
| |
| prop-fr:wikiPageUsesTemplate
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| prop-fr:année
| |
| prop-fr:auteur
| |
| prop-fr:consultéLe
| |
| prop-fr:isbn
| |
| prop-fr:langue
| |
| prop-fr:langueOriginale
| |
| prop-fr:lieu
| |
| prop-fr:oclc
| |
| prop-fr:pagesTotales
| |
| prop-fr:plume
| |
| prop-fr:sousTitre
| |
| prop-fr:titre
| - Physique de l'état solide (fr)
|
| prop-fr:titreOriginal
| - Introduction to solid state physics (fr)
|
| prop-fr:éditeur
| |
| prop-fr:bnf
| |
| prop-fr:traducteur
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
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| has abstract
| - Lorsqu'on considère une couche de matériau diélectrique high-κ, son EOT ou equivalent oxide thickness (« épaisseur d'oxyde équivalente » en anglais), généralement exprimée en nanomètres (nm), est l'épaisseur d'une couche de offrant les mêmes propriétés électriques que celle-ci. Le terme EOT est souvent utilisé pour la description de transistors à effet de champ, dont le fonctionnement repose sur la présence d'une électrode isolante nommée grille, constituée chimiquement d'un oxyde, et de régions en matériaux semi-conducteurs dopés. Les performances du transistor dépendent largement de l'épaisseur de la grille isolante en , s'améliorant grâce à une diminution de cette épaisseur. Au cours de l'histoire industrielle de la micro-électronique, cette épaisseur de grille n'a cessé de diminué. Lorsqu'elle a atteint de niveau de l'ordre de 5 à 10 nm, l'augmentation des courants de fuite du transistor est devenue problématique, et il a été nécessaire de faire appel à de nouveau oxydes de grille, autres que le . Ces nouveaux matériaux de grille ayant des épaisseurs équivalentes plus faibles que le , mais une épaisseur réelle similaire, ils permettent d'augmenter la vitesse de commutation du dispositif sans pour autant augmenter ses courants de fuite. Par exemple, un matériau high-k ayant une permittivité de 39 (comparée à la permittivité du , valant 3.9) serait, à performances égales, dix fois plus épais que le , permettant ainsi de réduire les courants de fuite à travers la grille, tout en offrant la même capacité et des performances élevées. En d'autres termes, c'est une couche de dont l'épaisseur serait égale à un dixième de la couche de high-k qui serait nécessaire pour obtenir des performances similaires sans pour autant accroître les courants de fuite, soit encore: l'EOT de matériau high-k considéré vaut un dixième de son épaisseur réelle. De façon générale, l'EOT se formule comme suit: L'EOT, en permettant de convertir une donnée physique (en l'occurence, la permittivité) en donnée géométrique (une épaisseur) est pratique pour comparer rapidement divers matériaux high-k au standard. (fr)
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| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is Wikipage disambiguates
of | |
| is oa:hasTarget
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)