. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "Le phosphure de gallium-indium est un compos\u00E9 chimique de formule InxGa1\u2013xP, avec 0 < x < 1. Il s'agit d'une solution solide de phosphure d'indium InP et de phosphure de gallium GaP. C'est un semiconducteur III-V de structure cristalline zincblende utilis\u00E9 pour sa mobilit\u00E9 \u00E9lectronique plus \u00E9lev\u00E9e que celle du silicium et de l'ars\u00E9niure de gallium GaAs qui le rend int\u00E9ressant pour les applications aux transistors bipolaires \u00E0 h\u00E9t\u00E9rojonction (HBT) et aux MODFET (transistors \u00E0 haute mobilit\u00E9 \u00E9lectronique, HEMT). Il est \u00E9galement utilis\u00E9 en opto\u00E9lectronique avec de l'aluminium pour la r\u00E9alisation de diodes \u00E9lectroluminescentes tr\u00E8s lumineuses en alliage AlInGaP de couleur verte, jaune, orange et rouge orang\u00E9. Le compos\u00E9 de formule In0,5Ga0,5P pr\u00E9sente de l'int\u00E9r\u00EAt pour l'accord de sa maille avec celle de l'ars\u00E9niure de gallium. Avec l'(AlxGa1\u2013x)0,5In0,5, il permet de faire cro\u00EEtre des bo\u00EEtes quantiques en accord de maille pour des lasers rouges, \u00E9mettant par exemple \u00E0 650 nm pour VCSEL utilis\u00E9s avec des fibres optiques en PMMA. L'In0,5Ga0,5P est \u00E9galement utilis\u00E9 dans les cellules photovolta\u00EFques \u00E0 h\u00E9t\u00E9rojonction sur de l'ars\u00E9niure de gallium. Ont \u00E9t\u00E9 obtenues des cellules \u00E0 triple h\u00E9t\u00E9rojonction InGaP/GaAs/InGaAs atteignant un rendement de 37,4 % sous un soleil au z\u00E9nith (AM1), port\u00E9 \u00E0 44,4 % sous une concentration de 300 soleils ; il est \u00E9galement employ\u00E9 pour la r\u00E9alisation de cellules \u00E0 triple h\u00E9t\u00E9rojonction InGaP/GaAs/Ge, avec les compositions In0,49Ga0,51P/In0,01Ga0,99As/Ge permettant de couvrir l'ensemble du spectre de 400 \u00E0 1 600 nm."@fr . . "14154306"^^ . . . . . . "4170"^^ . . "190795877"^^ . . . . . . . . . . . . . . "Phosphure de gallium-indium"@fr . "Indiumgalliumphosphid"@de . . "Le phosphure de gallium-indium est un compos\u00E9 chimique de formule InxGa1\u2013xP, avec 0 < x < 1. Il s'agit d'une solution solide de phosphure d'indium InP et de phosphure de gallium GaP. C'est un semiconducteur III-V de structure cristalline zincblende utilis\u00E9 pour sa mobilit\u00E9 \u00E9lectronique plus \u00E9lev\u00E9e que celle du silicium et de l'ars\u00E9niure de gallium GaAs qui le rend int\u00E9ressant pour les applications aux transistors bipolaires \u00E0 h\u00E9t\u00E9rojonction (HBT) et aux MODFET (transistors \u00E0 haute mobilit\u00E9 \u00E9lectronique, HEMT). Il est \u00E9galement utilis\u00E9 en opto\u00E9lectronique avec de l'aluminium pour la r\u00E9alisation de diodes \u00E9lectroluminescentes tr\u00E8s lumineuses en alliage AlInGaP de couleur verte, jaune, orange et rouge orang\u00E9."@fr . . . . . . .