. . . "Un d\u00E9tecteur Silicium-Lithium (Si-(Li)) est constitu\u00E9 principalement d'une jonction silicium de type diode p-i-n de 3 \u00E0 5 mm d'\u00E9paisseur polaris\u00E9e par une tension d'environ \u22121000 V. La partie centrale dop\u00E9e au lithium forme la couche non conductrice i (intrins\u00E8que), o\u00F9 le Li compense les accepteurs r\u00E9siduels qui sinon rendraient la couche de type p. Quand un photon X traverse le d\u00E9tecteur, cela provoque la cr\u00E9ation de paires \u00E9lectrons-trous et induit un saut de tension. Pour obtenir une conductivit\u00E9 suffisamment faible, le d\u00E9tecteur doit \u00EAtre maintenu \u00E0 basse temp\u00E9rature, et un refroidissement \u00E0 l'azote liquide doit \u00EAtre utilis\u00E9 pour avoir une bonne r\u00E9solution. Avec une certaine perte de r\u00E9solution, un syst\u00E8me de refroidissement Peltier peut \u00EAtre utilis\u00E9."@fr . . "176097002"^^ . . . "D\u00E9tecteur Si(Li)"@fr . . . . . . . . . "1459"^^ . . . . "Un d\u00E9tecteur Silicium-Lithium (Si-(Li)) est constitu\u00E9 principalement d'une jonction silicium de type diode p-i-n de 3 \u00E0 5 mm d'\u00E9paisseur polaris\u00E9e par une tension d'environ \u22121000 V. La partie centrale dop\u00E9e au lithium forme la couche non conductrice i (intrins\u00E8que), o\u00F9 le Li compense les accepteurs r\u00E9siduels qui sinon rendraient la couche de type p. Quand un photon X traverse le d\u00E9tecteur, cela provoque la cr\u00E9ation de paires \u00E9lectrons-trous et induit un saut de tension. Pour obtenir une conductivit\u00E9 suffisamment faible, le d\u00E9tecteur doit \u00EAtre maintenu \u00E0 basse temp\u00E9rature, et un refroidissement \u00E0 l'azote liquide doit \u00EAtre utilis\u00E9 pour avoir une bonne r\u00E9solution. Avec une certaine perte de r\u00E9solution, un syst\u00E8me de refroidissement Peltier peut \u00EAtre utilis\u00E9."@fr . "12241801"^^ . . . .